AT410 臺式熱原子層沉積

描述

AT410 工具是市場上具成本效益的原子層沉積系統(tǒng)。半導(dǎo)體級組件和金屬密封管線以及快速脈沖閥使研發(fā)機(jī)構(gòu)能夠快速訪問高質(zhì)量的 ALD 薄膜，以快速篩選概念。 該工具擁有達(dá)到或超過市場上其他工具的功能，而成本只是其中的一小部分。

技術(shù)特點

直徑高達(dá) 4“ 的樣品架（可定制以容納小零件、不尋常的形狀）

可變過程壓力控制 0.1 至 1.5 TORR

多達(dá) 5 種前驅(qū)體 - 標(biāo)準(zhǔn)

樣品上游的所有金屬密封系統(tǒng)

7“ 觸摸屏 PLC 控制系統(tǒng)

以規(guī)定的劑量量精確地計量母離子

室溫從室溫到300°C±1°C;

前驅(qū)體溫度從室溫到 150 °C ± 2 °C（帶加熱夾套）

市場上占地面積很?。?.5 平方英尺），臺式安裝和潔凈室兼容

系統(tǒng)維護(hù)簡單，公用設(shè)施和前驅(qū)體使用率很低

流線型腔室設(shè)計和小腔室體積

提供快速循環(huán)能力（高達(dá) 1.2nm/min Al2O3）和高曝光、深度穿透處理

全硬件和軟件聯(lián)鎖，即使在多用戶環(huán)境中也能安全運行

該工具可以沉積各種熱原子層沉積材料

其他

系統(tǒng)出廠時預(yù)裝了多個標(biāo)準(zhǔn)配方，控制器中預(yù)裝了幾個標(biāo)準(zhǔn)配方

在購買討論期間待定的確切配方組合

為所有系統(tǒng)材料和用戶定義的設(shè)備要求提供工藝開發(fā)支持

應(yīng)用領(lǐng)域

原子層沉積技術(shù)由于其沉積參數(shù)的高度可控型（厚度，成份和結(jié)構(gòu)），優(yōu)異的沉積均勻性和*性使得其在微納電子和納米材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用潛力。該技術(shù)應(yīng)用的主要領(lǐng)域包括：

1） 晶體管柵極介電層（high-k）和金屬柵電極（metal gate）

2） 微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）

3） 光電子材料和器件

4） 集成電路互連線擴(kuò)散阻擋層

5） 平板顯示器（有機(jī)光發(fā)射二極管材料，OLED）

6） 互連線勢壘層

7） 互連線銅電鍍沉積籽晶層（Seed layer）

8） DRAM、MRAM介電層

9） 嵌入式電容

10） 電磁記錄磁頭

11） 各類薄膜（<100nm）